16%로 세계 3위…1위는 日, 37%
우리나라가 차세대 셀인 CIS계 태양전지의 핵심특허 보유율에서 유럽을 제치고 세계 3위를 차지한 것으로 조사됐다.
31일 태양광리서치기업 솔라앤에너지가 발행한 CIS계 태양전지에 대한 특허분석 리포트에 따르면 CIS계 태양전지와 관련된 기술 특허는 일본특허가 37%로 가장 많으며 그 다음이 미국특허 35%, 한국특허 16%, 유럽특허 10% 순으로 조사됐다.
기업별로도 Matsushita Electric, Showa Shell(現 Solar Frontier), Honda 등 일본 기업들이 가장 많은 특허를 보유하고 있으며 국내의 경우 삼성전자와 LG이노텍이 상위 11개 업체 안에 랭크되면서 최근 CIGS 분야에 대한 연구를 강화하고 있는 것으로 나타났다.
기술적인 측면을 살펴보면 광흡수층 분야에서 나노분말이 23%, 스퍼터링이 13%, 진공증착과 셀렌화 12%, 조성이 11%, 전착이 8%, 용액법이 6%, MOCVD와 에칭이 각각 4%, CVD가 3%, RTA가 2%, 레이져와 이온빔이 각각 1%, 라미네이션이 0.7%, MBE가 0.3% 를 나타내고 있다. 이중 기술 분야는 스퍼터링과 진공증착, 셀렌화 공정이 주류를 이루고 있는 것으로 분석됐다.
한국은 다른 국가에 비해 가장 늦은 1998년부터 관련 특허가 출원되기 시작했지만 최근 5년(2005~2010년) 사이 활발한 특허 출원 활동을 보여 주요 4개 국가 중에서 유럽보다 많은 특허 점유율을 차지하고 있다.
솔라앤에너지에 따르면 태양광에너지는 현 정부에서 많은 관심을 기울이고 있는 ‘전략적 핵심기술 개발 사업’ 중의 하나이며 친환경 대체에너지 중 실현 가능성이 높은 무한에너지이다. 또 전세계적으로 태양광발전 산업의 붐으로 인해 최근 2~3년 사이에 태양광발전 산업이 연 40% 이상의 빠른 성장을 보이고 있어 산업 전망이 밝다.
최근 태양광산업에서 제조원가 절감이 주요 현안으로 떠오르면서 최근에 화합물반도체 태양전지가 급부상하게 됐다.
그 중 CIS계 태양전지는 광흡수계수가 1Ⅹ105 cm-1로 반도체 중에서 가장 높아 1~2μm의 두께로도 고효율의 태양전지 제조가 가능하고 장기적으로 전기 광학적 안정성이 매우 우수한 특성을 지니고 있어 활발한 연구가 진행되고 있다.
권준범 기자
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